微光显微镜 (EMMI)

  EMMI (Emission Microscopy)是用来做故障点定位、寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具。其具备高灵敏度的制冷式电荷(光)耦合组件(C-CCD)侦测器，可侦测组件中电子－电洞再结合时所发射出来的光子，其光波长在 350 nm ~ 1100 nm，此范围相当于可见光和红外光区。

EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况

1. 会产生亮点、热点(Hot Spot)的缺陷

     • 接面漏电(Junction Leakage)

     • Contact Spiking

     • 热电子效应(Hot Electrons)

     • 闩锁效应(Latch-Up)

     • 闸极氧化层缺陷或漏电(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N Current)

     • 多晶硅的细丝残留 (Poly-Silicon Filaments)

     • 硅基底损伤( Substrate Damage)

     • 机械性损伤(Mechanical Damage)

     • 及接面崩溃( Junction Avalanche)等

2. 原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)

     • 饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)

     • 动态式CMOS (Dynamic CMOS)

     • 二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)