聚焦离子束（FIB）
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成都
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TEM/EDS截面分析、SEM/EDS剖面分析、原位TEM芯片制样、TEM制样（不包含测试）
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聚焦离子束（FIB）
聚焦离子束技术（FIB）：
聚焦离子束技术（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。FIB利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。
可提供的服务：
TEM透射样品制备：对于表面薄膜、涂层、粉末大颗粒，块体等样品，在指定位置准确定位切割进行TEM样品的制备；
SEM/EDS剖面分析：FIB准确定位切割，制备截面样品，进行SEM和EDS能谱分析；
EBSD电子背散射衍射分析：进行晶体取向成像、显微织构、界面等分析；
微纳结构加工：在微纳结构操作机械手、Omniprobe操作探针、离子束切割等的配合下，进行各种微纳结构的搬运、各种显微结构形状或图案的加工。
FIB-TEM的制样流程
1）找到目标位置（定位非常重要），表面喷Cr保护（样品导电则不用喷Cr）。
2）将目标位置前后两侧的样品挖空，剩下目标区域。
3）机械纳米手将这个薄片取出，开始离子束减薄。
4）减薄到理想厚度后停止。
5）将样品焊到铜网上的样品柱上，标注好样品位置。
送样须知:
1、不能做能被磁铁吸起的粉末样品；2、FIB-TEM块体样品可以有磁性，但是需要如实填写样品磁性情况；
3、薄膜/块体样品最大不超过2cm，当样品过大需要切割取样；
送样前需要完善FIB-TEM测试需求单：
1、样品结构描述，薄膜样品请告知基底以及各层薄膜的成分和厚度（可附图片，对图片进行颜色标注和文字说明）；2、样品测试面和加工位置标记，测试面是否导电，不导电的话需要喷Cr处理，附上表面形貌的SEM图（如：金属光泽的光洁面为测试面，表面不导电，可以喷Cr）
3、TEM测试目的以及关注什么位置的信息，可分点描述（如：a测试各层厚度和晶粒大小取向等形貌；b对SIN和AlGaN界面HRTEM；c各层能谱mapping元素Ga N）
4、参考文献的预期效果。
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